長飛先進武漢基地
首批碳化硅晶圓日前正式投產
這是目前國內規(guī)模最大的
碳化硅半導體基地
可貢獻國產碳化硅晶圓產能的30%
有望破解我國新能源產業(yè)缺芯困局
碳化硅是新一代信息技術的基礎材料，被稱為新能源時代的“技術心臟”，是全球爭相搶占的科技制高點。這座總投資超200億元的半導體超級工廠，一期項目聚焦第三代半導體功率器件研發(fā)與生產，可年產36萬片6英寸碳化硅晶圓，產能躋身全球前列，達產后可滿足144萬輛新能源汽車的制造需求，推動我國第三代半導體實現(xiàn)從“跟跑”到“并跑”的關鍵跨越。
長飛光纖執(zhí)行董事兼總裁、長飛先進董事長莊丹介紹，碳化硅功率半導體、化合物半導體這個方向，有極大的市場，長飛先進將打造一個新的賽道，為中國的化合物半導體功率器件的發(fā)展去做更大的貢獻。
當前，我國碳化硅器件國際市場規(guī)模年均增速超30%，是全球產能的重要提供者。作為武漢東湖科學城首個落地的百億級半導體項目，長飛先進基地從一片荒地起步，10個月封頂、18個月量產，吸引超20家配套企業(yè)落戶，覆蓋設備、材料、封測的第三代半導體全產業(yè)鏈，形成了國內首個碳化硅全產業(yè)鏈集群。
長飛先進武漢晶圓廠總經(jīng)理李剛表示，光谷要打造第三代半導體的產業(yè)集群，九峰山實驗室就是一個化合物的實驗室，工廠落地之后就開始進行產業(yè)化了，總投資會達到200億。
近年來，武漢將化合物半導體列為“未來產業(yè)六大方向”之一，以九峰山實驗室為核心，計劃3年引進和培育上下游企業(yè)100家，加快把武漢光谷打造成化合物半導體領域的“世界燈塔”。
工信部信息通信經(jīng)濟專家委員會委員盤和林表示，湖北打造長飛先進武漢基地，既是突破半導體核心技術封鎖的破局之要，也是地方政府“鏈長制”招商與龍頭企業(yè)技術攻堅的典范。通過技術攻堅、產能釋放與生態(tài)聚合，為全球第三代半導體競爭注入中國力量。
